igbt和mos管的區別：本文從各方面分析屬干貨
MOSEFT全稱功率場效應晶體管。主要優點：熱穩定性好、安全工作區大。缺點：擊穿電壓低，工作電流小。
IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結合的產物。特點：擊穿電壓可達1200V，集電極Z大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。
MOS的應用，在中小功率中比較占優勢，特別是高的開關頻率。
IGBT的應用，在大功率應用中占優勢，因為Vce在高壓大電流的時候損耗比MOS的Rdson的低。但是IGBT的開關損耗比較大，所以目前仍舊在一些中低頻應用比較多，集中在20KHz左右。
另外，MOS的Rdson的溫度特性適合于并聯應用。而目前應用比較廣的PT技術的IGBT不適合并聯應用。但是新的NPT技術的IGBT適合并聯應用。
NPT和PT技術的IGBT又有各自的一些優點和缺點，這個說起來就遠了。
關于二者并聯使用的差異：
1，MOSFET的導通電阻都是正溫度系數的，很容易實現并聯使用。
2，IGBT分兩種：
有的IGBT飽和壓降是負溫度系數的，有的IGBT飽和壓降是正溫度系數的。
負溫度系數飽和壓降的IGBT并聯使用難于均流，所以，不宜并聯使用。
正溫度系數飽和壓降的IGBT可以并聯使用，能夠達到好的均流效果。
關于兩者市場現狀：
mosfet生產廠家很多，各種電壓、電流規格很多。IGBT一般來說分高速、高壓與高容量。生產廠家比mos少一些。集中在開關電源與電力電子這一塊來說，仙童、IR、IXYs、英飛凌、西門康、APT以及小鬼子都有。
傳統認為，IGBT頻率較低，耐壓較高，并聯特性不好，驅動需要負壓等等問題。但是Z新的產品已經基本不會有此類問題了。
比如Z早做出高速IGBT的IR公司的warp系列，其應開關頻率可達100K，軟開關頻率甚至超過150K。仙童的HGTG30N60A4D手冊中給出390V30A 100K。臺達一款UPS用這個家伙做PFC，工作在60多K。又比如IR的手冊中提及，其目前全系列IGBT無需負電壓驅動了。多數NPT的IGBT已經可以直接并聯了。
對于mosfet，耐壓和內阻很難兼顧。不過由于其工藝簡單，生產商較多導致采購容易，種類齊全，價格很有優勢。比如IXYS的mosfet就很有競爭力。
目前看來在低壓大電流這塊，依然具有絕對優勢，但在較高功率水平上則優勢較弱。但Z新的SiC類mosfet又有1200V品種了。比如POWEREX的1200V100A品種，其20Vg時典型Rds是15mR.當然了，價格恐怕也是天價。其他公司的品種多數在500V這個電壓等級下提供mR級的Rds。
mos的工藝特點使得其較容易的實現集成，所以在這一塊其優勢相當大。比如PI、NS、TI都有很豐富的產品線。
其實器件的劃分還是應該以應用為主，二者之間是有交叉的，但是也有各自的特定領域。
比如運動控制這塊，還是IGBT的天下。因為電動機不需要高的開關頻率，卻需要相對高的電壓和電流定額。
在單機功率不高的開關電源這邊，應該是以MOSFET為主。
很多時候，決定是否用IGBT或者MOSFET不僅僅是看他們能不能適應這個功率水平的問題，還要看系統的其他因素。比如超過10KW這個級別，磁性器件、系統電壓可能就限制了mosfet的選用了。
總體來說，工程師還是要根據項目需求來確定元件的選用的。要考慮的因素還有很多，甚至帶有主觀色彩的都有可能。
極端的說，IGBT不慢，MOSFET也未必就“大電流”。
Z后還要看設計者怎么去用。以人為本哈。設計者用好他們才是關鍵。
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